日期:2013-09-06 10:57
率分别不低于18%和20%；多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%；硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12%。多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在2年内分别不高于3.2%和4.2%，25年内不高于20%；薄膜电池组件衰减率在2年内不高于5%，25年内不高于20%。
能耗方面，现有多晶硅片项目平均综合能耗小于60万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于55万千瓦时/百万片；现有单晶硅片项目平均综合能耗小于40万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于35万千瓦时/百万片；电池项