日期:2021-07-14 08:49
装工艺特点与绝缘材料特征，获得了封装绝缘间隙、封装绝缘材料参数及封装工艺参数对器件绝缘水平的影响规律，提出了针对压接封装结构的封装绝缘方案，掌握了分布注胶、周期性脱气的灌封工艺；掌握了晶圆级、芯片级、子单元级、器件级共四个层级的高压无损测试筛选方法，自主开发了子单元与器件的检测与筛选装备，支持压接封装器件开发。金锐说。
金锐表示，未来，自主研制的高压IGBT芯片和模块，将推广应用到海上柔性直流输电、统一潮流控制器等领域，支撑双高电力系统建设，助力碳达峰碳中和目标的实现。