日期:2021-07-14 08:49
能力的综合优化，整体性能达到国际先进水平。吴军民说。
项目负责人、联研院功率半导体研究所副所长金锐告诉科技日报记者，在芯片技术方面，团队攻克了背面激光退火均匀性控制的技术难题；掌握了背面缓冲层掺杂对芯片特性的影响规律，提出三维局域载流子寿命控制方法，与国际同类产品相比，芯片整体性能达到国际先进水平。
在压接型封装技术方面，基于多个碟簧组件串联的零部件公差补偿技术，团队提出了适用于IGBT芯片并联的弹性压接封装结构，突破了IGBT芯片大规模并联的压力均衡调控技术，实现了上百颗芯片并联压接封装；结合封