日期:2021-07-14 08:49
IGBT芯片尺寸小、微观结构复杂，影响芯片性能的结构和工艺参数众多，同时IGBT芯片通态压降、关断损耗和过电流关断能力相互制约，三者之间的综合优化是攻关过程中最难突破的技术。
将推广到海上柔性直流输电等领域
面对技术难题，联研院研究团队成立了青年突击队，采用理论分析、仿真设计和试验验证相结合的方式，优化IGBT芯片正面元胞结构和背面缓冲层结构设计，开发载流子增强层、背面缓冲层和超厚聚酰亚胺钝化等关键工艺，最终研制出面向电力系统应用的高关断能力IGBT芯片，实现了IGBT芯片的通态压降、关断损耗和过电流关断