日期:2021-07-14 08:49
高电阻率衬底材料制备技术，大尺寸晶圆的掺杂均匀性和稳定性难以满足高压IGBT和FRD芯片开发需求；二是高压芯片关键工艺能力不足，提升芯片性能的高端工艺加工能力欠缺，无法满足电力系统用高压IGBT芯片的加工需求；三是封装设计体系和工艺能力难以满足高压器件封装需求，尤其是压接型器件封装，在封装绝缘体系、多芯片并联均流和压力均衡控制方面研究不足；四是高压IGBT器件的整体可靠性和坚固性与国外先进水平相比存在差距，未经电力系统装备和工程长期应用的考核验证。联研院功率半导体研究所所长吴军民在接受科技日报记者采访时表示。