日期:2021-07-14 08:49
功率IGBT关键技术及应用通过了工业和信息化部组织开展的综合绩效评价。项目自主研制出满足柔性直流输电装备需求的4500V/3000A低通态压降和3300V/3000A高关断能力IGBT器件，解决了高压大容量压接型IGBT芯片和器件缺乏的问题。
涉及多个环节，需多行业联合攻关
高压IGBT芯片和器件的开发周期长，涉及到材料、芯片设计、芯片工艺、器件封装与测试各个环节，需要多学科交叉融合、多行业协同开发。
当前，研发面向电力系统应用的高压IGBT器件的技术瓶颈主要有4个方面，一是高压芯片用